Samsung Electronics Untuk Membangunkan Produk DRAM LLWD Untuk Peranti XR Next-Gen Apple

Telah dilaporkan bahawa Samsung Electronics komited sepenuhnya untuk membangunkan produk DRAM LLWD (Low Latency Wide IO) khusus untuk peranti XR generasi akan datang Apple.

Sebagai penyelesaian memori berprestasi tinggi revolusioner, LLWD DRAM mempunyai reka bentuk pin I/O yang kaya yang mencapai jalur lebar tinggi, latensi ultra-rendah, dan kecekapan tenaga.Ini meletakkannya untuk aplikasi masa depan yang luas di Edge AI, yang berpotensi menggantikan teknologi LPDDR sedia ada.

Headset Apple Vision Pro semasa menggabungkan cip R1, yang secara eksklusif dibekalkan dengan LLWD DRAM oleh SK Hynix.Memori ini menyediakan jalur lebar 256GB/s dan menawarkan kapasiti 1GB bersama -sama dengan lapan kali kiraan I/O pin memori tradisional, mempamerkan kelebihannya yang signifikan dalam kelajuan pemindahan data.Sebagai perbandingan, sementara LPDDR5 mempunyai lebar 64-bit, DRAM LLWD yang disediakan oleh SK Hynix mencapai lebar 512 bit.

Laporan menunjukkan bahawa Samsung Electronics terlibat secara aktif dalam Penyelidikan dan Pembangunan Teknologi LLWD DRAM, setelah memasuki peringkat pengeluaran berskala kecil.Matlamat mereka adalah untuk menangkap bahagian pasaran dari SK Hynix dalam sektor baru ini.

Mengenai kemas kini terkini mengenai Apple Vision Pro, khabar angin pasaran menunjukkan bahawa produk generasi kedua akan berharga antara $ 1,500 dan $ 2,500.Sekiranya khabar angin "separuh harga" adalah benar, pengguna mungkin dapat memperoleh produk canggih ini untuk sekitar $ 1,750, pengurangan ketara dari harga $ 3,500 Vision Pro pertama, dengan itu meningkatkan daya saing pasarannya.