MOSFET dalam Pakej SMD0.2 Paten Baru secara drastik Mengurangkan Saiz Sistem dan Berat dalam HiRel S

EL SEGUNDO, Calif. - Rectifier Antarabangsa, IR® (NYSE: IRF), peneraju dunia dalam teknologi pengurusan kuasa, hari ini memperkenalkan satu keluarga radiasi hermetis yang keras (RAD-Hard ™) 100 V MOSFET dalam pakej permukaan SMD0.2 padat, aplikasi seperti sistem kuasa bas satelit dan bekalan kuasa muatan.

Pakej SMD0.2 baru yang dipatenkan, hermetikal, ringkas SMD0.2 yang menggunakan seramik Aluminium Nitride (AlN) untuk kekonduksian terma yang lebih baik, direka khusus untuk MOSFET RAD-Hard dan menangani keperluan pereka kuasa yang memerlukan berat dan saiz sistem yang dikurangkan. Dengan cetakan kaki 0.3 "x 0.2" x 0.1 "(8mm x 5mm x 3mm) hanya seberat 0.25 g, pakej permukaan SMD0.2 adalah 50 peratus lebih kecil dan 75 peratus lebih ringan berbanding dengan pakej SMD0.5 yang ada semasa menghilangkan sama jumlah kuasa pada sekitar 23 W.

"Peralatan keluarga baru ini menggabungkan warisan IR dalam teknologi RAD-Hard MOSFET dengan teknologi pembungkusan yang dipatenkan inovatif untuk membantu para jurutera memenuhi cabaran untuk mereka bentuk aplikasi ruang yang menuntut penyelesaian sistem yang semakin kecil, ringan dan sangat dipercayai, kata Odile Ronat, pengurus pemasaran diskret, Unit Perniagaan HiRel IR.

MOSFET baru menggunakan teknologi RAD-Hard MOSFET terbukti IR. Kedua-dua 100 krad (Si) dan 300 krad (Si) penarafan dos jumlah boleh didapati, dengan penilaian SEE 85MeV / (mg / cm ²). Terdapat juga saluran N-saluran dan P-saluran tahap standard dan logik. Voltan selain 100 V juga boleh didapati atas permintaan. Pakej SMD0.2 boleh didapati dengan penutup logam atau tudung seramik.

Datasheets, dimensi pakej dan garis kes disediakan melalui pautan nombor bahagian di atas.