- Melayu
-
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoa日本語SesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com
Kertas Infineon di BCTM 2003 - Perkembangan Presentasi Menggariskan Kepimpinan dalam Bipolar / BiCMO
Munich, Jerman dan Toulouse, Perancis ?? 6 Oktober 2003 ?? Penyelidikan Infineon Technologies (FSE / NYSE: IFX) menyampaikan beberapa kertas kerja di Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM 2003), 28-28 September. Program teknikal untuk BCTM terdiri daripada kursus pendek yang diberikan oleh pakar-pakar industri persembahan teknikal. Sesi teknikal telah dianjurkan mengikut topik berikut: RF, fizik peranti, teknologi proses, CAD dan pemodelan, reka bentuk analog, peranti kuasa.
Infineon telah mengambil bahagian dalam BCTM dengan beberapa pembentangan teknikal yang menyerlahkan perkembangan terkini mengenai teknologi bipolar berkelajuan tinggi. Dalam perkara berikut, tajuk dan ringkasan ringkasan persembahan teknikal Infineon disenaraikan.
Gandingan yang tidak diingini komponen litar yang berlainan melalui substrat dapat mengurangkan prestasi litar berkelajuan tinggi dan RF maju. Oleh itu, pereka litar biasanya menggunakan langkah-langkah perisai seperti cincin pengawal. Walau bagaimanapun, ini mungkin tidak mencukupi untuk litar prestasi tinggi. Di sini, juga teknologi itu sendiri mesti dioptimumkan. Untuk ini, bahan substrat yang berlainan, teknik pengasingan transistor, dan kaedah perisai disiasat dan pengaruh mereka terhadap gandingan substrat ditentukan oleh pengukuran.
Ciri-ciri dielektrik intrinsik Al 2O 3 telah disiasat berkaitan dengan aplikasi MIMCAP dan berbanding dengan SiO 2, SiN dan Ta 2O 5, yang lebih banyak digunakan. Dalam makalah ini, Infineon telah buat kali pertama sepenuhnya mencirikan Al 2O 3 MIMCAP untuk aplikasi dalam teknologi RF. Al 2O 3 boleh dikurangkan kepada 20nm (3.5fF / μm²) sambil memenuhi keperluan kebolehpercayaan dan dengan itu melepasi SiN dan SiO 2 besar. Ketergantungan C (V) (kira-kira 100ppm / V ² @ 50nm untuk pekali voltan kuadratik) dan kehilangan dielektrik (tanδ = 0.0024) memenuhi keperluan untuk aplikasi analog dan RF. Berbanding dengan yang dinilai secara intensif Ta 2O 5, Al 2O 3 mempunyai susunan magnitud kebocoran yang lebih rendah, tetapi sedikit kelemahan dalam kapasitansi khusus maksimum yang boleh dicapai.
Gandingan substrat mempengaruhi prestasi litar Bipolar / BiCMOS berkelajuan tinggi dengan cara yang negatif dan boleh menyebabkan kegagalan litar. Kesan ini tidak boleh diabaikan untuk banyak litar berkelajuan tinggi dan RF maju. Oleh itu, ini mesti dimodelkan dengan betul semasa fasa reka bentuk. Makalah ini memberikan gambaran mengenai interaksi antara komponen litar dan substrat. Teknik simulasi dikaji semula yang boleh digunakan untuk menentukan pengaruhnya. Di samping itu, integrasi pemodelan substrat ke dalam persekitaran reka bentuk hari ini dijelaskan oleh contoh praktikal.
Infineon telah mengambil bahagian dalam BCTM dengan beberapa pembentangan teknikal yang menyerlahkan perkembangan terkini mengenai teknologi bipolar berkelajuan tinggi. Dalam perkara berikut, tajuk dan ringkasan ringkasan persembahan teknikal Infineon disenaraikan.
Kajian Eksperimen Komprehensif mengenai Pilihan Teknologi untuk Penggantian Substrat Dikurangkan dalam RF dan Litar Bipolar Berkelajuan Tinggi
Gandingan yang tidak diingini komponen litar yang berlainan melalui substrat dapat mengurangkan prestasi litar berkelajuan tinggi dan RF maju. Oleh itu, pereka litar biasanya menggunakan langkah-langkah perisai seperti cincin pengawal. Walau bagaimanapun, ini mungkin tidak mencukupi untuk litar prestasi tinggi. Di sini, juga teknologi itu sendiri mesti dioptimumkan. Untuk ini, bahan substrat yang berlainan, teknik pengasingan transistor, dan kaedah perisai disiasat dan pengaruh mereka terhadap gandingan substrat ditentukan oleh pengukuran.
Kebolehpercayaan Dielektrik dan Hartanah Bahan Al 2O 3 dalam Metal Insulator Metal Capacitors (MIMCAP) untuk RF Bipolar Technologies dalam Perbandingan ke SiO 2, SiN dan Ta 2O 5
Ciri-ciri dielektrik intrinsik Al 2O 3 telah disiasat berkaitan dengan aplikasi MIMCAP dan berbanding dengan SiO 2, SiN dan Ta 2O 5, yang lebih banyak digunakan. Dalam makalah ini, Infineon telah buat kali pertama sepenuhnya mencirikan Al 2O 3 MIMCAP untuk aplikasi dalam teknologi RF. Al 2O 3 boleh dikurangkan kepada 20nm (3.5fF / μm²) sambil memenuhi keperluan kebolehpercayaan dan dengan itu melepasi SiN dan SiO 2 besar. Ketergantungan C (V) (kira-kira 100ppm / V ² @ 50nm untuk pekali voltan kuadratik) dan kehilangan dielektrik (tanδ = 0.0024) memenuhi keperluan untuk aplikasi analog dan RF. Berbanding dengan yang dinilai secara intensif Ta 2O 5, Al 2O 3 mempunyai susunan magnitud kebocoran yang lebih rendah, tetapi sedikit kelemahan dalam kapasitansi khusus maksimum yang boleh dicapai.
Pemodelan substrat untuk Litar Bipolar RF / Berkelajuan Tinggi dan BiCMOS
Gandingan substrat mempengaruhi prestasi litar Bipolar / BiCMOS berkelajuan tinggi dengan cara yang negatif dan boleh menyebabkan kegagalan litar. Kesan ini tidak boleh diabaikan untuk banyak litar berkelajuan tinggi dan RF maju. Oleh itu, ini mesti dimodelkan dengan betul semasa fasa reka bentuk. Makalah ini memberikan gambaran mengenai interaksi antara komponen litar dan substrat. Teknik simulasi dikaji semula yang boleh digunakan untuk menentukan pengaruhnya. Di samping itu, integrasi pemodelan substrat ke dalam persekitaran reka bentuk hari ini dijelaskan oleh contoh praktikal.