- Melayu
-
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoa日本語SesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com
Infineon dan IBM Present World's Pertama 16 Mbit MRAM - Keputusan Reka Bentuk Cip Inovatif dalam Den
Bersama News Release Infineon dan IBM
Munich, Jerman ?? 22 Jun 2004 ?? Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) dan IBM menyampaikan 16 Mbit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) pertama di dunia. Cak memori baru yang tidak menentu ini adalah MRAM yang paling ketara yang dilaporkan setakat ini menunjukkan bahawa MRAM mempunyai potensi untuk menjadi memori sejagat untuk pengkomputeran prestasi tinggi dan aplikasi mudah alih.
Peningkatan bilangan aplikasi mudah alih seperti telefon pintar dan komputer riba dengan ciri multimedia tambahan mengakibatkan keperluan untuk cip memori yang lebih canggih. MRAM adalah calon yang menjanjikan untuk ingatan sejagat dalam prestasi tinggi dan pengkomputeran mudah alih kerana ia lebih cepat dan menggunakan kuasa kurang daripada teknologi sedia ada.
Dengan demonstrasi MRAM 16Mbit kami sekali lagi menggariskan kedudukan utama kami dalam teknologi yang tidak menentu yang inovatif, ?? kata Dr. Wilhelm Beinvogl, CTO dari Kumpulan Produk Produk Ingatan di Infineon Technologies. Pengumuman hari ini adalah satu kejayaan besar dalam pembangunan teknologi memori yang sedang muncul ini.
Masa yang diperlukan untuk menulis sedikit maklumat pertama ke dalam cip MRAM adalah kira-kira sejuta kali lebih cepat daripada masa yang diperlukan untuk cip memori flash. Masa yang diperlukan untuk membaca sedikit maklumat pertama daripada cip MRAM adalah kira-kira tiga kali lebih cepat daripada cip kilat NOR dan kira-kira satu faktor lebih cepat daripada cip kilat NAND. Selain itu, MRAM memerlukan kuasa yang lebih rendah berbanding dengan teknologi DRAM.
?? Kemajuan dalam pengkomputeran berprestasi tinggi telah meningkatkan permintaan untuk teknologi memori yang lebih inovatif, kuat dan serba boleh, ?? kata Dr. T. C. Chen, Naib Presiden Sains dan Teknologi, Penyelidikan IBM. IBM sentiasa mencari cara baru untuk meningkatkan prestasi pelayan dan MRAM boleh menjadi komponen yang kuat. ??
Penunjuk produk MRAM 16Mbit direalisasikan dalam teknologi proses berasaskan logik mikron 0.18μm. Ia menggunakan sel 1-Transistor 1-Magnetic Tunnel Junction (1T1MTJ) dan mempunyai antara muka seperti SRAM yang lazim digunakan dalam aplikasi mudah alih dan pegang tangan dan sesuai dengan operasi teras MRAM. Cip direka untuk beroperasi pada masa akses dan kitaran 30-40ns. Di antara MRAMs multi-Mbit yang diterbitkan, cip MRAM baru ini dibezakan oleh ketumpatan tertinggi (16Mbit) yang dicapai dengan saiz sel 1.42μm 2. Reka bentuk MRAM multi-Mbit yang unik juga menggunakan litar pemacu menulis bootstrapped novel dan beberapa ciri reka bentuk untuk mengurangkan arus tunggu sedia.
Reka bentuk cip inovatif ini didasarkan pada sel MRAM 1T1MTJ dengan tiga lapisan logam: mesh tanah, Write Word Line (WWL) dan Bit Line (BL). Hanya tiga peringkat khusus MRAM (VA, MA, MTJ) yang diperlukan melebihi teknologi asas CMOS tiga-peringkat. Rintangan tanah rintangan rendah membolehkan tatasusunan besar yang tidak terganggu. Cip dibahagikan kepada dua unit 8Mbit, masing-masing dibahagikan kepada 64 blok 128Kbit. Setiap blok 128Kbit mengandungi rangkaian tunggal dan litar yang berkaitan.
Munich, Jerman ?? 22 Jun 2004 ?? Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) dan IBM menyampaikan 16 Mbit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) pertama di dunia. Cak memori baru yang tidak menentu ini adalah MRAM yang paling ketara yang dilaporkan setakat ini menunjukkan bahawa MRAM mempunyai potensi untuk menjadi memori sejagat untuk pengkomputeran prestasi tinggi dan aplikasi mudah alih.
Peningkatan bilangan aplikasi mudah alih seperti telefon pintar dan komputer riba dengan ciri multimedia tambahan mengakibatkan keperluan untuk cip memori yang lebih canggih. MRAM adalah calon yang menjanjikan untuk ingatan sejagat dalam prestasi tinggi dan pengkomputeran mudah alih kerana ia lebih cepat dan menggunakan kuasa kurang daripada teknologi sedia ada.
Dengan demonstrasi MRAM 16Mbit kami sekali lagi menggariskan kedudukan utama kami dalam teknologi yang tidak menentu yang inovatif, ?? kata Dr. Wilhelm Beinvogl, CTO dari Kumpulan Produk Produk Ingatan di Infineon Technologies. Pengumuman hari ini adalah satu kejayaan besar dalam pembangunan teknologi memori yang sedang muncul ini.
Masa yang diperlukan untuk menulis sedikit maklumat pertama ke dalam cip MRAM adalah kira-kira sejuta kali lebih cepat daripada masa yang diperlukan untuk cip memori flash. Masa yang diperlukan untuk membaca sedikit maklumat pertama daripada cip MRAM adalah kira-kira tiga kali lebih cepat daripada cip kilat NOR dan kira-kira satu faktor lebih cepat daripada cip kilat NAND. Selain itu, MRAM memerlukan kuasa yang lebih rendah berbanding dengan teknologi DRAM.
?? Kemajuan dalam pengkomputeran berprestasi tinggi telah meningkatkan permintaan untuk teknologi memori yang lebih inovatif, kuat dan serba boleh, ?? kata Dr. T. C. Chen, Naib Presiden Sains dan Teknologi, Penyelidikan IBM. IBM sentiasa mencari cara baru untuk meningkatkan prestasi pelayan dan MRAM boleh menjadi komponen yang kuat. ??
Penunjuk produk MRAM 16Mbit direalisasikan dalam teknologi proses berasaskan logik mikron 0.18μm. Ia menggunakan sel 1-Transistor 1-Magnetic Tunnel Junction (1T1MTJ) dan mempunyai antara muka seperti SRAM yang lazim digunakan dalam aplikasi mudah alih dan pegang tangan dan sesuai dengan operasi teras MRAM. Cip direka untuk beroperasi pada masa akses dan kitaran 30-40ns. Di antara MRAMs multi-Mbit yang diterbitkan, cip MRAM baru ini dibezakan oleh ketumpatan tertinggi (16Mbit) yang dicapai dengan saiz sel 1.42μm 2. Reka bentuk MRAM multi-Mbit yang unik juga menggunakan litar pemacu menulis bootstrapped novel dan beberapa ciri reka bentuk untuk mengurangkan arus tunggu sedia.
Reka bentuk cip inovatif ini didasarkan pada sel MRAM 1T1MTJ dengan tiga lapisan logam: mesh tanah, Write Word Line (WWL) dan Bit Line (BL). Hanya tiga peringkat khusus MRAM (VA, MA, MTJ) yang diperlukan melebihi teknologi asas CMOS tiga-peringkat. Rintangan tanah rintangan rendah membolehkan tatasusunan besar yang tidak terganggu. Cip dibahagikan kepada dua unit 8Mbit, masing-masing dibahagikan kepada 64 blok 128Kbit. Setiap blok 128Kbit mengandungi rangkaian tunggal dan litar yang berkaitan.