Infineon Berjaya Menghasilkan Sampel Pertama 65nm di Fab Fabrik

Munich - 31 Januari 2006 - Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) telah mengeluarkan cip sampel pertama dalam teknologi platform CMOS yang berkuasa tinggi dan berkuasa tinggi 65nm. Infineon memanfaatkan keputusan industri yang memimpin 65nm / 45nm yang terdiri daripada IBM, Chartered, Infineon, dan Samsung (ICIS). Pengeluaran wafer dilakukan dalam bingkai perkongsian pembuatan dengan Chartered. Sebagai penggerak awal kepada versi kuasa rendah 65nm dalam pakatan ICIS Infineon menunjukkan kesediaan 65nm kepada semua program logik yang canggih dan menawarkan penyelesaian utama kepada semua pelanggan yang menghadapi aplikasi sensitif kuasa. Pelaksanaan terbukti silikon Infineon daripada 65nm MCU- / DSP-core, perpustakaan, dan RF sebagai analog / macro isyarat campuran mengatasi nisbah prestasi-ke-kuasa penting yang diketahui dalam generasi teknologi sebelumnya.

"Data yang ada hari ini menekankan kekuatan pelbagai strategi strategik kami yang mengakibatkan kedudukan terdepan ke arah masa-ke-pasaran, angka-merit , dan fleksibiliti pembuatan dengan menyatukan sumber R & D yang penting kerana mengeksploitasi modal intelektual yang besar, "kata Prof Dr Hermann Eul, Ahli Lembaga Pengurusan Infineon dan ketua Infineon Communication Solutions Business Group.

Sebagai contoh subsistem berasaskan ARM9, komponen utama telefon mudah alih, spektrum pustaka sel digital yang luas serta pelbagai fungsi fungsi SRAM, ROM, RF dan analog / bercampur yang luas telah berjaya disahkan. Fungsi ARM9 Core CPU, DSP serta semua elemen makro dan perpustakaan lain telah terbukti dengan silikon dari persekutuan ICIS di East-Fishkill serta dari rakan kongsi pembuatan sasaran Chartered. Produk komunikasi mudah alih yang pertama menggunakan teknologi 65nm telah dirakam baru-baru ini mengakibatkan sampel dalam suku pertama tahun 2006, pengeluaran volum dijangka bermula pada suku keempat tahun 2006.

Infineon mendefinisikan Akses Teknologi Pintar yang kompetitif kosnya dengan menawarkan penyelesaian kunci giliran kepada para pelanggannya, termasuk perisa teknologi yang dioptimumkan untuk aplikasi, infrastruktur sistem reka bentuk terbuka untuk memasukkan pelanggan atau 3 ^rd parti IP, RF yang terbukti silikon, isyarat analog / bercampur, SRAM dan ROM macros, perpustakaan tontoni aplikasi, reka bentuk dan perkhidmatan prototaip silikon sehingga keupayaan pengeluaran volum dengan rakan perkilangannya Chartered.

"Infineon memutuskan untuk mengejar penghijrahan cepat ke dalam teknologi 65nm memandangkan pengoptimuman optimum antara kos pembuatan yang dicetuskan oleh litografi 193nm yang matang dan inovasi bahan reka bentuk untuk kos yang efisien dalam teknologi kuasa rendah 65nm di satu pihak. Di sisi lain, teknologi ini mencerminkan nisbah prestasi-ke-kuasa yang sangat menarik termasuk parameter RF yang sesuai, "kata Hermann Eul. "Teknologi 65nm akan menjadi asas teknologi untuk tahun-tahun akan datang dalam segmen produk Infineon Communication, mendorong kedudukan terkemuka Infineon dalam Baseband dan RF CMOS integrasi tunggal-cip lebih awal daripada persaingan dan menjana cadangan volum tambahan yang sesuai untuk semua jenis mikrokontroler dan penyelesaian berasaskan ASIC juga. "