Infineon Menawarkan Transistor RF Berasaskan Teknologi Silicon-Germanium Baru dengan Nois Rendah

Munich, Jerman - 31 Ogos 2005 - Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) hari ini melancarkan teknologi proses SiGe: C (Silicon-Germanium Carbon) yang baru untuk peranti semikonduktor frekuensi radio (RF) berkeupayaan tinggi. Teknologi SiGe: C yang inovatif merupakan asas bagi generasi terbaru Infineon mengenai Heterojunction Transistor Bipolar (HBTs), yang memberikan angka hingar terendah di dunia untuk transistor diskret berasaskan silikon hanya 0.75 dB pada 6 GHz dan keuntungan tinggi sehingga 19 dB pada 6 GHz. Dengan memperkenalkan keluarga BFP740 HBT baru, Infineon mencapai tahap prestasi berasaskan silikon yang sebelum ini dapat dicapai hanya dengan menggunakan teknologi yang lebih mahal berdasarkan galium arsenide (GaAs).

Transistor SiGe: C yang baru sesuai untuk kegunaan dalam pelbagai aplikasi RF dan wayarles menggunakan kekerapan di atas 10 GHz, seperti Penguat Kebisingan Rendah (LNAs), pengayun gelombang mikro, dan amplifier umum untuk pelbagai standard termasuk Wireless LAN (802.11a, b, g), WiMAX dan Ultra Wide Band (UWB). Aplikasi merangkumi Sistem Pemetaan Global (GPS), telefon tanpa wayar, LNB TV satelit (Blok Bunyi Rendah), dan perkhidmatan siaran berasaskan satelit (e. G., XM Radio, Sirius, Penyiaran Audio Digital).

"Pengenalan siri BFP740 adalah satu lagi peristiwa penting dalam mengembangkan portfolio transistor RF berprestasi tinggi Infineon," kata Michael Mauer, Ketua Pemasaran Produk, Discretes Silikon di Infineon Technologies. "HBT baru ini memberi para pereka RF sebagai rangsangan dramatik dalam prestasi, sambil mengekalkan ciri-ciri yang diperlukan untuk kos rendah dan manufacturability yang terdapat dalam peranti menggunakan pakej SMT tradisional. Dengan mengendalikan keperluan front-end tertentu, seperti angka bunyi rendah dan keuntungan yang tinggi, transistor RF baru adalah penyelesaian yang ideal untuk aplikasi tanpa wayar semasa dan masa depan 10 GHz atau lebih. "

Transistor Infineon RF baru mempunyai frekuensi peralihan tipikal 42 GHz dan memberikan tahap angka hingar yang paling rendah yang boleh didapati di pasaran SiGe: C: 0.5 dB pada 1.8 GHz dan 0.75 dB pada 6 GHz. Dengan biasa Gms (keuntungan kuasa stabil maksimum) daripada 28 dB pada 1.8 GHz, tipikal G _ma (keuntungan kuasa maksimum maksimum) 19 dB pada 6 GHz dan operasi semasa yang rendah, peranti ini sesuai untuk pelbagai aplikasi RF dan wayarles, seperti WLAN. Cip HBT Infineon mempunyai metalisasi emas untuk kebolehpercayaan yang lebih tinggi.

Teknologi Proses Karbon Silicon-Germanium

Teknologi proses Karbon Silicon-Germanium yang unik untuk Infineon adalah rintangan asas yang berkurangan, yang membawa kepada angka hingar yang paling rendah industri bagi transistor diskret berasaskan silikon. Di samping itu, kaedah baru untuk mengurangkan induktansi parasitik secara mendadak telah dibangunkan. Konsep asas unik ini membolehkan pencapaian nilai tinggi pada frekuensi tinggi semasa masih menggunakan pakej plastik standard industri yang terbukti murah.

Ketersediaan, Pembungkusan

Siri BFP740 HBT adalah dalam pengeluaran volum dan boleh didapati dalam pakej SOT343 standard (BFP740), pakej flatlead TSFP-4 (BFP740F) dan pakej TSLP-3 (BFR740L3) 3-pin tanpa tulen yang kecil. Saiz pakej TSLP-3 hanya 1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm.

Maklumat lanjut mengenai transistor berasaskan teknologi Silicon-Germanium Karbon Infineon boleh didapati di: www.infineon.com/bfp740

Tekan Foto: Infineon's Heterojunction Transistors Bipolar (HBTs) yang berasaskan teknologi proses Karbon Silikon-Germanium yang baru memberikan angka hingar terendah industri bagi transistor diskret berdasarkan silikon. Mereka boleh didapati dalam pakej standard SOT343 (BFP740, atas), pakej flatlead TSFP-4 (BFP740F, tengah) dan pakej kecil 3-pin tanpa tulen TSLP-3 (BFR740L3, bawah) yang saiznya hanya 1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm.