Infineon Memperkenalkan OptiMOS ™ Fast Diode (FD) 200V dan 250V Dioptimumkan untuk Diod Body Hard Co

Neubiberg, Jerman - 12 Mac 2014 - Infineon Technologies (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) melengkapkan portfolio Voltan Sederhana dengan OptiMOS ™ FD 200V dan 250V baru. Generasi terbaru MOSFET Kuasa dioptimumkan untuk badan diod yang keras pergantian dan membawa kepada lonjakan peranti yang lebih tinggi, overshoot voltan yang lebih rendah dan mengurangkan kehilangan pemulihan terbalik. Ini menghasilkan kebolehpercayaan sistem tertinggi terutamanya dalam aplikasi pensuisan keras seperti Sistem Telecom, Bekalan Kuasa Industri, Penguat Audio Kelas D, Kawalan Motor (untuk sistem 48 - 110V) dan inverter DC / AC.

Memperolehi kebolehpercayaan dan kos penjimatan
Keluarga FD OptiMOS menyediakan caj pemulihan yang terbalik (Q rr) yang dioptimumkan untuk piawaian prestasi tertinggi. OptiMOS FD 200V dan 250V mencapai Q rr pengurangan 40 peratus berbanding OptiMOS 200V dan 250V standard. Ini bermakna lompatan penting ke hadapan dalam kebolehpercayaan sistem dengan mengurangkan overshoot voltan dan dengan itu meminimumkan keperluan untuk litar snubber.

"Sekali lagi, Infineon telah memajukan sempadan dalam kelas voltan 200V dan 250V. Menetapkan tanda aras baru adalah apa yang membuatkan kita bergerak ke hadapan. Dengan keluarga OptiMOS FD kami meneruskan laluan berjaya memanfaatkan prestasi beralih. Power MOSFET generasi terbaru ini menjimatkan kos dan usaha rekabentuk pelanggan kami terutamanya dalam aplikasi pensuisan keras, "kata Richard Kuncic, Pengarah Segmen Sistem Senior DC / DC di Infineon Technologies.

Menjaganya mudah dan cekap
OptiMOS FD yang baru menunjukkan pergerakan keras yang sukar diperbaiki dan oleh itu boleh digunakan di bawah keadaan yang lebih menuntut seperti dv / dt, di / dt dan kepadatan semasa yang lebih tinggi berbanding dengan teknologi 200V dan 250V sedia ada di pasaran. Ini menghasilkan kemudahan penggunaan yang memudahkan proses reka bentuk.
Tambahan pula OptiMOS FD menawarkan sehingga 45 peratus rintangan pada keadaan (R DS (pada)) dan juga sehingga 65 peratus pengurangan Merit (FOM) berbanding dengan peranti alternatif yang membawa kepada kecekapan tertinggi dan ketumpatan kuasa.

Portfolio dan Ketersediaan
Portfolio OptiMOS FD 200V terdiri daripada D²PAK dengan R DS (pada) daripada 11.7mΩ dan TO-220 dengan R DS (pada) daripada 12mΩ. Portfolio OptiMOS FD 250V terdiri daripada TO-220 dengan R DS (pada) daripada 22 mΩ.

Sampel boleh didapati dalam kelas voltan dan semua pakej.

Untuk maklumat lanjut mengenai OptiMOS Fast Diode 200V dan 250V keluarga baru Infineon sila lawati www.infineon.com/optimosFD