Infineon Memperkenalkan Peranti OptiMOS ™ 40V dan 60V Baru Menetapkan Piawaian Tertinggi dalam Ketum

Neubiberg, Jerman dan Orlando, FL (Amerika Syarikat) - 6 Februari 2012 - Hari ini di Persidangan Elektronik Gunaan & Pameran (APEC) 2012, Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) memperkenalkan OptiMOS ™ 40V 60V kuasa MOSFET keluarga. Peranti ini dioptimumkan untuk pembetulan segerak dalam Bekalan Kuasa Mod Switched (SMPS) seperti yang digunakan dalam pelayan dan komputer desktop. Di samping itu, mereka adalah pilihan yang sempurna untuk pelbagai aplikasi perindustrian seperti kawalan motor, penyongsang mikro suria dan penukaran DC / DC pantas. Infineon OptiMOS ™ 40V dan 60V keluarga baru menyokong kecekapan tinggi dan ketumpatan kuasa dengan rintangan pada keadaan terendah (R _{DS (pada)}) dan tingkah laku beralih dioptimumkan.

Oleh kerana keperluan kelajuan dan kuasa yang sentiasa berkembang dalam pemprosesan data, pereka AC / DC menghadapi cabaran untuk meningkatkan kecekapan sistem dan ketumpatan kuasa dan pada masa yang sama perlu mengurangkan kos sistem. Infineon baru 40V dan 60V MOSFETs menangani pelbagai cabaran ini secara serentak.

"Infineon adalah syarikat semikonduktor pertama yang memperkenalkan 1mΩ 40V MOSFET dalam pakej SuperSO8. Ini memotong jumlah MOSFET dalam pembetulan segerak bekalan kuasa pelayan 1,000W sebanyak separuh. Paralleling tidak diperlukan lagi dan ketumpatan kuasa meningkat secara mendadak, "kata Richard Kuncic, Pengarah Kanan Penjanaan Kuasa Voltan Rendah di Infineon Technologies.

Aplikasi suria juga mendapat manfaat daripada komponen prestasi tinggi komponen semikonduktor. Dalam topologi photovoltaic tipikal seperti buck / boost untuk pengoptimal kuasa atau jambatan penuh resonan untuk inverter mikro, kedua-dua R _{DS (pada)} dan ciri-ciri beralih adalah penting. Dengan menggunakan peranti BSC016N06NS dari keluarga 60V baru Infineon, dalam pakej SuperSO8 yang mengukur 5mm x 6mm, kecekapan yang lebih tinggi 1.5% boleh dicapai pada keadaan beban 20% dalam penyongsang mikro solar.

Maklumat tambahan mengenai New OptiMOS ™ 40V dan 60V Keluarga

Dilaksanakan pada teknologi wafer nipis canggih Infineon, keluarga baru OptiMOS ™ 40V dan 60V menawarkan 35 peratus lebih rendah R _{DS (pada)} dan caj pintu rendah (Q _g) mengurangkan Rajah Merit (R _{DS (pada)} x Q _g) dengan 45 peratus berbanding peranti alternatif. Ini membolehkan pengurangan kehilangan kuasa sebanyak sepuluh peratus apabila peranti digunakan dalam pembaikan sisi sekunder bekalan kuasa pelayan.

Diod Schottky seperti monolithically bersepadu di dalam peranti 1mΩ dan 1.4mΩ 40V SuperSO8 mengurangkan caj pemulihan terbalik (Q _rr) dalam aplikasi pembetulan segerak. Ini membawa kepada kerugian konduksi yang lebih rendah dan kecekapan yang lebih tinggi. Tambahan lagi, pengurangan ketara voltan yang berlebihan mengurangkan keperluan untuk litar snubber, menjimatkan kos dan usaha kejuruteraan.

Ketersediaan dan Harga

Peranti OptiMOS ™ 40V baru dalam pakej SuperSO8 dan S3O8 (3mmx3mm) boleh didapati di R _{DS (pada)} berkisar antara 1.0mΩ hingga 2.3mΩ dan berharga $ 0.50 USD dan $ 1.05 USD sekeping (kuantiti 10k keping).
Peranti OptiMOS ™ 60V baru dalam pakej SuperSO8 boleh didapati di R _{DS (pada)} kelas 1.6mΩ dan 2.8mΩ dan berharga AS $ 0.85 dan $ 0.65. Alat tambahan boleh didapati dalam pakej TO-220, S3O8, I²PAK (TO-262), D²PAK dan DPAK (TO-252) dengan harga dari $ 0.54 USD untuk 6.0mΩ R _{DS (pada)} kepada $ 1.5 USD untuk 1.0mΩ R _{DS (pada)} penarafan untuk kuantiti potongan 10k.

Maklumat lanjut mengenai peranti OptiMOS ™ 40V dan 60V yang baru boleh didapati di www.infineon.com/newoptimos

Produk baru Infineon OptiMOS ™ 40V dan 60V diserlahkan di APEC 2012 (5-9 Februari) di Orlando / Florida, Amerika Syarikat (Booth 801).