Neubiberg, Jerman dan Tokyo, Jepun - 22 Julai 2008 - Hari ini di Ekspo Comm Wireless Japan, Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) menambah portfolionya dengan pengumuman LNA kepekaan tinggi (Low Noise Amplifier) angka bunyi terbaik dalam kelas untuk Aplikasi GPS. BGA715L7 baru memenuhi keperluan reka bentuk telefon bimbit untuk sensitiviti tinggi dan imuniti terhadap gangguan isyarat selular sambil menyumbang untuk meningkatkan hayat bateri dengan penggunaan kuasa yang sangat rendah hanya 5.94 mW dan keupayaan untuk beroperasi pada voltan bekalan 1.8 V. Fungsi GPS dijangka menjadi ciri standard untuk generasi telefon bimbit yang akan datang. Menurut syarikat penyelidikan pasaran IMS Research, segmen pasaran ini berkembang dengan kadar pertumbuhan purata kompaun (CAGR) sebanyak 33.7 peratus hingga 2011. Ini bermakna GPS akan dipaparkan dalam sekurang-kurangnya satu pertiga daripada semua telefon mudah alih yang akan dihasilkan pada tahun 2011.
"Dengan Infineon BGA715L7 baru memperluaskan rangkaiannya yang luas LNAs berprestasi tinggi dalam teknologi SiGe: C yang berkesan untuk telefon GPS dan UMTS serta TV mudah alih, aplikasi FM radio dan WLAN, "kata Michael Mauer, Pengarah Pemasaran Kanan, Semikonduktor Diskret di Infineon Technologies. "Dengan penghantaran lebih daripada 100 juta LNA GPS sehingga kini, Infineon telah menubuhkan kedudukan terkemuka dalam pasaran GPS."
Cabaran utama untuk pasaran GPS mudah alih yang semakin meningkat adalah untuk mencapai sensitiviti yang lebih tinggi dan daya tahan yang lebih tinggi terhadap gangguan isyarat selular. Untuk alasan keselamatan dan kecemasan, peraturan kerajaan, misalnya di Amerika Syarikat dan di Jepun, memerlukan telefon bimbit untuk menerima isyarat GPS pada tahap kuasa yang sangat rendah. Ini bermakna penerimaan isyarat perlu dipastikan di dalam bangunan dan juga di tempat letak kereta bawah tanah.
Ciri-ciri Teknikal BGA715L7 Sekilas
Berdasarkan teknologi SiGe: C, Infineon yang kos efektif, BGA715L7 menawarkan angka kebisingan terbaik dalam kelas hanya 0.6 dB, iaitu peningkatan 0.2 dB ke atas pesaing SiGe yang seterusnya. Penggunaan semasa yang rendah hanya 3 mA adalah lebih kurang 20 peratus lebih rendah berbanding dengan peranti alternatif, yang mengakibatkan jangka hayat bateri yang lebih lama. Bekalan kuasa yang luas, dari 1.5 V hingga 3.6 V, dan kawalan digital dari1.0 V hingga 3.6 V memastikan keserasian dengan semua cip GPS yang terdapat di pasaran dan membolehkan reka bentuk voltan rendah untuk penjimatan tenaga. BGA715L7 menunjukkan keuntungan tinggi 20 dB dan lineariti tinggi (titik mampatan input -12 dBm pada 2.8 V). Litar pintas pintar dalaman memastikan operasi yang stabil terhadap suhu dan variasi voltan bekalan. Perlindungan ESD pada cip disediakan sehingga 1 kV HBM, yang memudahkan perlindungan ESD sistem dan menjadikan peranti ini sangat kuat terhadap peristiwa ESD semasa proses pemasangan. BGA715L7 hanya memerlukan tiga komponen pasif luaran yang menyokong reka bentuk penjimatan yang padat dan ruang.
Ketersediaan, Pakej dan Harga
Sampel BGA715L7 boleh didapati sekarang, dengan pengeluaran volum dijadualkan bermula pada bulan September 2008. Infineon menyediakan kit penilaian untuk menyokong rekaan pelanggan. Harga bermula pada USD 0.5 setiap satu dalam 10k kuantiti. BGA715L7 dihantar dalam pakej TSLP7-1 yang kecil tanpa hujung saiz 2.0 mm x 1.3 mm x 0.4 mm, yang bersesuaian dengan pin BGA615L7 yang digunakan secara meluas.
Maklumat lanjut mengenai LNA Infineon dan BGA715L7 baru boleh didapati di www.infineon.com/rfmmic