Infineon Memperkenalkan Produk Ingatan, Penjimatan Ruang dan Memori Kuasa untuk Mobile and Handhel

Munich, Jerman ?? 14 Jun 2004 ?? Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) hari ini mengumumkan produk memori baru untuk aplikasi mudah alih seperti buku nota, dan untuk produk pegang tangan seperti telefon bimbit dan PDA, memperluaskan rangkaian kelajuan tinggi, penjimatan ruang dan memori kuasa rendah produk.

• 1GB (Gigabyte) SO-DIMM (Outline Kecil DIMM) DDR2-400 dan DDR2-533 modul berdasarkan komponen single-die 512Mbit DDR2
• Generasi baru Mobile-RAM dengan bekalan kuasa 1.8 Volt untuk mengurangkan penggunaan kuasa untuk peranti pegang tangan sehingga 80 peratus
• 16Mbit dan 32Mbit CellularRAM menyasarkan pasaran telefon bimbit tanpa wayar

Untuk akses mudah melalui media cetak dan on-line, pengumuman diringkaskan di bawah. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk URL Web, atau hubungi Perhubungan Media.

Baru 1GB DDR2 SO-DIMMs

Infineon telah mengeluarkan sampel kejuruteraan pertama bagi 1GB (Gigabyte) DDR2 Planar SO-DIMM (Small outline DIMM) untuk komputer riba notebook dan laptop komputer riba akhir generasi seterusnya, yang memerlukan ketebalan modul yang dikurangkan disebabkan oleh dimensi yang lebih kecil. Inovatif ini disebut planar ?? Reka bentuk membolehkan penempatan komponen tunggal-mati 16 x 512Mbit DDR2 pada kedua-dua belah modul untuk mencapai kepadatan keseluruhan 1GB. Sehingga kini 1 GB DDR2 SO-DIMMS hanya boleh dilaksanakan dengan komponen dwi-disusun yang disusun.

Mereka melebihi sekatan JEDEC (Majlis Kejuruteraan Elektrik Bersama Bersama) dengan ketebalan 3.8 mm setiap modul untuk memenuhi keperluan ruang dan terma. DDR2 1GB DDR2 SO-DIMM yang dihasilkan oleh Infineon adalah setinggi 3.8 mm dengan itu menawarkan ruang yang optimum dan keadaan terma. Ia dianjurkan dalam 2 pangkat dan beroperasi pada 1,8 Volt. Menurut firma penyelidikan pasaran iSuppli permintaan untuk unit notebook akan meningkat dari sekitar 36.1 juta unit pada tahun 2003 kepada kira-kira 52.2 unit pada tahun 2006 dengan purata kadar pertumbuhan sebanyak 13 peratus setahun.

Sampel boleh didapati di US-Dollar 300 untuk 1GB SO-DIMM DDR2-400 dan pada US-Dollar 400 untuk 1GB SO-DIMM DDR2-533. Untuk maklumat lanjut sila pergi ke: http://www.infineon.com/memory

Hayat Bateri Dipanjangkan untuk Pegang Tangan dengan 1.8 Volt Mobile-RAM

Generasi baru Infineon's Mobile-RAM dengan bekalan kuasa 1.8 Volt untuk PDA dan telefon bimbit kini boleh didapati. Komponen yang ditawarkan dalam kepadatan 128Mb dan 256Mb berkurangan dengan ketara penggunaan kuasa sebanyak 80 peratus berbanding dengan SDRAM konvensional. Sensor suhu terbina dalam yang dibangunkan oleh Infineon menyesuaikan kadar penyegaran secara serentak ke suhu persimpangan sebenar cip, tanpa menyalirkan sebarang kuasa CPU untuk tujuan ini. Pakej skala cip tambahan yang memenuhi keperluan untuk semua aplikasi kekangan ruang. Mobile-RAM sesuai untuk digunakan sebagai memori utama atau buffer dalam peranti elektronik pegang tangan, seperti PDA, telefon bimbit, kamera digital digital dan pemain MP3. Infineon menjangkakan penukaran utama pasaran Mobile-RAM dari 2 .5 V hingga 1.8 V pada pertengahan tahun 2005.
Untuk maklumat lanjut sila pergi ke: www.infineon.com/Mobile-RAM

Infineon melengkapkan portfolio memori dengan CellularRAM untuk 2.5G dan 3G Wireless Handsets

CellularRAM adalah Pseudo SRAMs (PSRAMs) yang direka dan disesuaikan khusus untuk telefon bimbit 2.5G dan 3G yang akan datang, yang memerlukan memori yang lebih tinggi dan bandwidth yang lebih tinggi disebabkan oleh fungsi multimedia dan kamera serta paparan berwarna. Menurut firma penyelidikan pasaran iSuppli (April 2004), PSRAM adalah penyelesaian memori pilihan dalam 40 peratus reka bentuk telefon bimbit pada tahun 2004, meningkat sehingga 56 peratus pada tahun 2008. Hanya Infineon dan Micron kini menawarkan CellularRAM pada 1.8 V dengan segerak mod pecutan yang membolehkan bandwith yang lebih tinggi. CellularRAM akan menjadi standard industri de-facto yang disokong oleh Micron, Cypress, Renesas dan Infineon.

Infineon CellularRAM kini boleh didapati dalam 16 Mbit dan kepadatan 32 Mbit yang beroperasi pada 1.8 V dengan masa akses SRAM 70 n dan frekuensi pecah 80 MHz. Contoh 64Mbit dijangka menjelang suku keempat tahun kalendar 2004 dan 128Mbit CellularRAM dirancang untuk suku pertama tahun kalendar 2005. Untuk maklumat lanjut, sila pergi ke: www.infineon.com/memory/CellularRam.