Infineon Menerangkan Litar Memori Inovatif di ISSCC 2006

San Francisco. Calif. - 6 Februari 2006 - Minggu ini di ISSCC 2006 (Persidangan Litar Solid-State IEEE Antarabangsa) di San Francisco, Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) sedang membentangkan tiga kertas kerja yang menerangkan inovasi dalam memori berasaskan CMOS untuk pengkomputeran dan aplikasi grafik. Kertas teknikal, menonjolkan pengetahuan syarikat dalam reka bentuk cip canggih, menerangkan IC yang sedang digunakan atau tidak lama lagi tersedia untuk aplikasi pasaran. Di samping itu, Infineon akan mengambil bahagian dalam forum yang menangani pilihan keperluan dan pelaksanaan untuk antara muka berkelajuan tinggi dalam aplikasi cip ke cip.

Dalam kertas DRAM Graphics, penyelidik Infineon akan melaporkan kaedah untuk mencapai tahap prestasi yang lebih tinggi dalam cip pasaran massa yang direka untuk mengendalikan aplikasi multimedia yang lebih baik. Makalah kedua menggambarkan Advanced Memory Buffer (AMB) yang digunakan dengan DRAM standard untuk membina berkapasiti tinggi, modul memori berkelajuan tinggi untuk komputer dan pelayan. Makalah ketiga menggambarkan seni bina transceiver berprestasi tinggi yang melaksanakan skim pengedaran jam novel untuk menyokong modul memori berasaskan AMB yang akan datang.

Advanced Graphics DRAM

Aplikasi multimedia dalam desktop dan komputer mudah alih memerlukan prestasi yang semakin meningkat dari cip memori yang digunakan pada kad grafik. Dalam Sesi 8.2 di 9:00 pada hari Selasa, 7 Februari, penyelidik Infineon akan membentangkan "DRAM Graphics 2Gb / s / pin 512Mb dengan Teknik Pengurangan Kebisingan." Makalah ini melaporkan mengenai DRAM 512Mb 8-bank yang beroperasi pada kepada 2Gbps, mencapai kadar data yang tinggi dengan menggunakan teknik pengurangan bunyi maju yang meningkatkan tingkah laku I / O (input / output) dan isyarat dalaman. GDRAM ini melebihi prestasi peranti yang diterbitkan sebelum ini sebanyak 25 peratus, sementara masih menggunakan antaramuka memori konvensional, tanpa perbezaan dan teknologi proses DRAM konvensional.

Teknologi Baru untuk Modul Memori Berkelajuan Tinggi

Pelayan komputer, yang memerlukan ketumpatan dan prestasi memori yang tertinggi, mewakili pasaran yang penting dan sangat mencabar bagi industri DRAM. Ini telah membawa kepada pembangunan DIMM Penuh Buffered (FB-DIMM), modul memori yang boleh menjadi tuan rumah sehingga 36 cip DRAM dan berkomunikasi dengan pemproses hos melalui AMB (Advanced Memory Buffer). DRAM pada antara muka modul dengan AMB menggunakan kaedah DDR standard, dan AMB menghantar data ke dan menerima data dari pemproses hos atau FB-DIMM jiran dengan menggunakan teknik yang disebut isyarat titik-ke-titik perbezaan. 

Dalam Sesi 18.6, "Pemulihan Data dan Retiming untuk Pautan Serial Penuh Buffered 4.8Gb / s," pada pukul 4:15 petang pada hari Selasa, 7 Februari, penyelidik Infineon menerangkan pemulihan data pautan bersiri dan merangka butiran pelaksanaan CMOS AMB yang terdiri daripada 24 pautan bersiri, unit pemproses teras dan antara muka DDR. Kerana AMB menyokong kadar data DDR2 800Mbps, pautan beroperasi pada kelajuan sehingga 4.8Gbps. Secara keseluruhannya, AMB yang dijelaskan mencapai sensitiviti input eksperimen 50mVpp pada kadar ralat bit (BER) 10 ^-12, melebihi keperluan spesifik 170mVpp pada BER 10 ^-12.

Dalam Sesi 4.5, "A 100mW 9.6Gb / s Transceiver dalam CMOS 90nm untuk Antaramuka Memori Generasi Seterusnya," pada 3:45 petang pada hari Isnin, 6 Februari, penyelidik Infineon memberikan wawasan tentang arsitektur baru yang dibangunkan untuk generasi akan datang FB-DIMM berasaskan AMB. Transceiver yang dikemukakan mengimplementasikan arsitektur jam yang memenuhi keperluan untuk pengedaran jam yang cekap kuasa kepada setiap penerima data individu dalam FB-DIMM.

Untuk memberi lebih banyak maklumat mengenai latar belakang teknologi FB-DIMM, Infineon juga akan memberikan persembahan dalam Sesi F5, Interkoneksi Berkelajuan Tinggi, "Evolusi Antaramuka Berkelajuan Tinggi ke dalam Aplikasi Memori," dalam Forum Reka Bentuk Litar pada 10: 00 pagi pada hari Khamis, 9 Feb.

Maklumat lanjut mengenai produk memori memori Infineon boleh didapati di www.Infineon.com/memory.