Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Log keluar
Melayu
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Rumah > Berita > Infineon Mengumumkan Penghantaran Komponen Memori 512 Megabit DDR2 Terkecil di Dunia kepada Intel; I

Infineon Mengumumkan Penghantaran Komponen Memori 512 Megabit DDR2 Terkecil di Dunia kepada Intel; I

Munich / Jerman dan San Jose / Amerika Syarikat, 17 September 2003 ?? Infineon Technologies (FSE / NYSE: IFX) hari ini mengumumkan di Forum Pembangun Intel bahawa permulaan 512 Megabit (Mb) DDR2 (Kadar Data Dwi-Kedua Generasi) SDRAM berjaya boot dan sedang dievaluasi dengan generasi akan datang Intel dual processor server chipset name ?? Lindenhurst ??. Peranti Infineon 512 Megabit x8 DDR2 SDRAM sedang dievaluasi oleh Intel dan mematuhi spesifikasi DDR2 JEDEC.

Komponen DDR Infineon direka untuk generasi akan datang, memori utama berprestasi tinggi dalam aplikasi Server, PC dan Workstation. Komponen 512 Mb DDR2 baru dibuat menggunakan teknologi proses CMOS 110 nanometer (nm) maju Infineon; yang menghasilkan penggunaan kuasa terendah dan saiz cip terkecil dalam industri untuk ketumpatan ini.

Komponen Infineon DDR2 awal beroperasi pada kadar data setiap pin 400 Mbps (megabit sesaat) dan 533 Mbps. Komponen dan modul ingatan yang beroperasi pada kelajuan yang lebih tinggi sudah bersedia untuk sistem menggunakan memori utama DDR2 bermula pada tahun 2004. Pelayaran Infineon untuk DDR2 juga termasuk komponen 256 Mb dan 1 Gigabit pada tahun 2004.

?? Teknologi memori DDR2 Infineon akan membolehkan desktop, pelayan dan platform mudah alih Intel untuk mencapai prestasi yang lebih tinggi, kuasa yang lebih rendah dan peningkatan kapasiti pada tahun 2004, ?? kata Pete MacWilliams, Felo Kanan, Intel Corporation. ?? Saya mengharapkan teknologi DDR2 menjadi seni bina memori utama selama beberapa tahun. ??

Modul memori berdasarkan DDR2-533 akan mencapai kadar data sebanyak 4.3 GigaBytes sesaat, menyediakan sistem dengan prestasi yang luar biasa yang luar biasa menggunakan arus perdana, aras memori standard industri, ?? kata Bernd Lienhard, Naib Presiden Produk Memori di Infineon Technologies Amerika Utara. Sebagai pembekal memori memimpin peralihan industri ke pengeluaran berkepala tinggi, tinggi pada wafer 300 mm, kami berasa bangga untuk menyertai Intel dalam menawarkan pengguna teknologi terkini untuk tahap reka bentuk sistem seterusnya. ??

Cip DDR2 512Mb yang mematuhi JEDEC yang dikonfigurasikan sebagai DRAMs quad-bank, akan tersedia dalam organisasi x4, x8 dan x 16, dan ditawarkan dalam pakej FinePitch Ball Grid Array (FBGA). Ciri-ciri tambahan dalam memori baru termasuk saiz pra-ambil 4 bit, strob pembezaan dan pemboleh ubah impedans output output.